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IV2Q12017T4Z SiC MOSFET

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详细说明

    IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET

特性

·第二代碳化硅MOSFET技术与+18V门驱动

·高阻塞电压与低电阻

·高速开关与低电容

·高操作结温度能力

·非常快速和健壮的内在身体二极管

·开尔文门输入缓解驱动电路设计应用

应用

·电动电机驱动

·太阳能逆变器

·高压直流/直流转换器

·开关模式电源

 
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