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无锡科微半导体有限司
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IV3Q12013T4Z

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    IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET

特性

·第三代碳化硅MOSFET技术与+15+18V门驱动

·高阻塞电压低电阻

·高速开关低电容

·高操作结温度能力

·非常快，健壮和软恢复固有身体二极管

·开尔文门输入缓解驱动电路设计

·AEC-Q101合格

应用

·电动汽车电机驱动器

·太阳能MPPT和逆变器

·高压直流/直流转换器

·开关模式电源

 
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